neutron-irradiation相关论文
The favourable physical properties of SiC make it a potential material for use as containment layer in new generation nu......
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用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷,结果表明:中子辐照产生点缺陷团,辐照剂量为10^19m^-2和10^21m^-2时,缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm,这可能高剂量辐照下损......
在不同温度和红外光照下,测量了经中子辐照的单晶硅表面光电压,确定了其深能级的位置和少了扩散长度;由双能级复合理论,推导了中子辐照......
在温度为60~80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺......
分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×10^18n.cm^-2、8.2×10^18n.cm^-2和1.72×10^19n.cm^-2的不同剂量......
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